RU35122S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU35122S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 970 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm

Encapsulados: TO-263

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RU35122S datasheet

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RU35122S

RU35122S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/120A, RDS (ON) =2.7m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature TO-263 Lead Free,RoHS compliant Applications Switching Application Systems UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter R

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RU35122S

RU35122R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/120A, RDS (ON) =2.7m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested TO-220 175 C Operating Temperature Lead Free,RoHS compliant Applications Switching Application Systems UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter R

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