RU35122S Todos los transistores

 

RU35122S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU35122S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 970 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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RU35122S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  ruichips
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RU35122S

RU35122SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/120A,RDS (ON) =2.7m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureTO-263 Lead Free,RoHS compliantApplications Switching Application Systems UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter R

 7.1. Size:308K  ruichips
 ru35122r.pdf pdf_icon

RU35122S

RU35122RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/120A,RDS (ON) =2.7m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche testedTO-220 175C Operating Temperature Lead Free,RoHS compliantApplications Switching Application Systems UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter R

Otros transistores... RU30P4C , RU30P4C6 , RU30P4H , RU30P5D , RU30P5H , RU30S4H , RU30S5H , RU35122R , IRFP260 , RU3520H , RU3560L , RU3568L , RU3568R , RU3582R , RU3582S , RU3710R , RU3710S .

History: VS6614GS | FTK3N80F | KF3N80F | PTA08N100 | IRF7756G | AONS36348 | R5011ANX

 

 
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