RU35122S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU35122S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 970 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для RU35122S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU35122S даташит

 ..1. Size:299K  ruichips
 ru35122s.pdf pdf_icon

RU35122S

RU35122S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/120A, RDS (ON) =2.7m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature TO-263 Lead Free,RoHS compliant Applications Switching Application Systems UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter R

 7.1. Size:308K  ruichips
 ru35122r.pdf pdf_icon

RU35122S

RU35122R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/120A, RDS (ON) =2.7m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested TO-220 175 C Operating Temperature Lead Free,RoHS compliant Applications Switching Application Systems UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter R

Другие IGBT... RU30P4C, RU30P4C6, RU30P4H, RU30P5D, RU30P5H, RU30S4H, RU30S5H, RU35122R, AO3401, RU3520H, RU3560L, RU3568L, RU3568R, RU3582R, RU3582S, RU3710R, RU3710S