RU35122S - аналоги и даташиты транзистора

 

RU35122S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU35122S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 970 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для RU35122S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU35122S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  ruichips
 ru35122s.pdf pdf_icon

RU35122S

RU35122SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/120A,RDS (ON) =2.7m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureTO-263 Lead Free,RoHS compliantApplications Switching Application Systems UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter R

 7.1. Size:308K  ruichips
 ru35122r.pdf pdf_icon

RU35122S

RU35122RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/120A,RDS (ON) =2.7m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche testedTO-220 175C Operating Temperature Lead Free,RoHS compliantApplications Switching Application Systems UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter R

Другие MOSFET... RU30P4C , RU30P4C6 , RU30P4H , RU30P5D , RU30P5H , RU30S4H , RU30S5H , RU35122R , AO3400 , RU3520H , RU3560L , RU3568L , RU3568R , RU3582R , RU3582S , RU3710R , RU3710S .

History: NCE8295A | VBP165R20S | VSD005N03MS | AP02N90I-HF | SDT01N02

 

 
Back to Top

 


 
.