RU3520H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU3520H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
- Selección de transistores por parámetros
RU3520H Datasheet (PDF)
ru3520h.pdf

RU3520HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/9A,RDS (ON) =14m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =21m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche testedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications High Frequency Buck Converters forComputer Processor Power.High Frequency Isolated D
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: 2SJ0582 | WSD4066DN | VS3618AE | AOLF66610 | 2SK1336 | CSD17310Q5A | AP40T10GH-HF
History: 2SJ0582 | WSD4066DN | VS3618AE | AOLF66610 | 2SK1336 | CSD17310Q5A | AP40T10GH-HF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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