RU3520H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU3520H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de RU3520H MOSFET
RU3520H Datasheet (PDF)
ru3520h.pdf
RU3520HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/9A,RDS (ON) =14m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =21m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche testedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications High Frequency Buck Converters forComputer Processor Power.High Frequency Isolated D
Otros transistores... RU30P4C6 , RU30P4H , RU30P5D , RU30P5H , RU30S4H , RU30S5H , RU35122R , RU35122S , K3569 , RU3560L , RU3568L , RU3568R , RU3582R , RU3582S , RU3710R , RU3710S , RU40120M .
History: SQJA02EP | SSM3K16FU | SQJ479EP | RU3568L | RU35122S | SQJ868EP | RU3560L
History: SQJA02EP | SSM3K16FU | SQJ479EP | RU3568L | RU35122S | SQJ868EP | RU3560L
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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