RU3520H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU3520H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: SOP-8

 Búsqueda de reemplazo de RU3520H MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RU3520H datasheet

 ..1. Size:310K  ruichips
 ru3520h.pdf pdf_icon

RU3520H

RU3520H N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/9A, RDS (ON) =14m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =21m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested SOP-8 Lead Free and Green Available Applications High Frequency Buck Converters for Computer Processor Power. High Frequency Isolated D

Otros transistores... RU30P4C6, RU30P4H, RU30P5D, RU30P5H, RU30S4H, RU30S5H, RU35122R, RU35122S, K3569, RU3560L, RU3568L, RU3568R, RU3582R, RU3582S, RU3710R, RU3710S, RU40120M