Справочник MOSFET. RU3520H

 

RU3520H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU3520H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RU3520H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  ruichips
ru3520h.pdfpdf_icon

RU3520H

RU3520HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/9A,RDS (ON) =14m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =21m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche testedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications High Frequency Buck Converters forComputer Processor Power.High Frequency Isolated D

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK1626 | AP2306CGN-HF | TSM4944DCS | APTC90SKM60CT1G | PNMTO600V5 | AM90N20-78B | ELM33404CA

 

 
Back to Top

 


 
.