Справочник MOSFET. RU3520H

 

RU3520H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU3520H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для RU3520H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU3520H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  ruichips
 ru3520h.pdf pdf_icon

RU3520H

RU3520HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/9A,RDS (ON) =14m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =21m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche testedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications High Frequency Buck Converters forComputer Processor Power.High Frequency Isolated D

Другие MOSFET... RU30P4C6 , RU30P4H , RU30P5D , RU30P5H , RU30S4H , RU30S5H , RU35122R , RU35122S , SPP20N60C3 , RU3560L , RU3568L , RU3568R , RU3582R , RU3582S , RU3710R , RU3710S , RU40120M .

History: WMO3N120D1 | FQP20N60 | IRLZ44S | STB24N65M2 | FDN86265P | SISA01DN | TK7P60W

 

 
Back to Top

 


 
.