RU3520H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU3520H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для RU3520H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU3520H даташит

 ..1. Size:310K  ruichips
 ru3520h.pdf pdf_icon

RU3520H

RU3520H N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/9A, RDS (ON) =14m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =21m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested SOP-8 Lead Free and Green Available Applications High Frequency Buck Converters for Computer Processor Power. High Frequency Isolated D

Другие IGBT... RU30P4C6, RU30P4H, RU30P5D, RU30P5H, RU30S4H, RU30S5H, RU35122R, RU35122S, K3569, RU3560L, RU3568L, RU3568R, RU3582R, RU3582S, RU3710R, RU3710S, RU40120M