RU3560L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU3560L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: TO-252

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RU3560L datasheet

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RU3560L

RU3560L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/50A, RDS (ON) =13m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =18m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Low Voltage Inverter Applications N-Channel MOSFET

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RU3560L

RU3568R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/68A, RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol

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RU3560L

RU3568L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/60A, RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V D RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO252 D Applications DC/DC Converters G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings S

Otros transistores... RU30P4H, RU30P5D, RU30P5H, RU30S4H, RU30S5H, RU35122R, RU35122S, RU3520H, IRFP260, RU3568L, RU3568R, RU3582R, RU3582S, RU3710R, RU3710S, RU40120M, RU40120R