RU3560L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU3560L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 18 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 160 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU3560L
RU3560L Datasheet (PDF)
ru3560l.pdf
RU3560LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/50A,RDS (ON) =13m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =18m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Low Voltage Inverter ApplicationsN-Channel MOSFET
ru3568r.pdf
RU3568RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/68A,RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol
ru3568l.pdf
RU3568LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/60A, RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10V D RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications DC/DC ConvertersGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsS
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