RU3560L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RU3560L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 18 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 160 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm
Тип корпуса: TO-252
RU3560L Datasheet (PDF)
ru3560l.pdf
RU3560LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/50A,RDS (ON) =13m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =18m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Low Voltage Inverter ApplicationsN-Channel MOSFET
ru3568r.pdf
RU3568RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/68A,RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol
ru3568l.pdf
RU3568LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/60A, RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10V D RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications DC/DC ConvertersGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsS
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
