RU3582S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU3582S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU3582S

RU3582S Datasheet (PDF)

..1. Size:293K ruichips
ru3582s.pdf

RU3582SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/100A,RDS (ON) =5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureTO-263 Lead Free,RoHS compliantApplications Switching Application Systems UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rati

8.1. Size:301K ruichips
ru3582r.pdf

RU3582RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/100A,RDS (ON) =5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche testedTO-220 175C Operating Temperature Lead Free,RoHS compliantApplications Switching Application Systems UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rati

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: