RU3582S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU3582S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de RU3582S MOSFET
RU3582S Datasheet (PDF)
ru3582s.pdf
RU3582SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/100A,RDS (ON) =5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureTO-263 Lead Free,RoHS compliantApplications Switching Application Systems UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rati
ru3582r.pdf
RU3582RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/100A,RDS (ON) =5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche testedTO-220 175C Operating Temperature Lead Free,RoHS compliantApplications Switching Application Systems UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rati
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History: PJD6NA70 | STI45N10F7
History: PJD6NA70 | STI45N10F7
Liste
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