RU3582S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU3582S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для RU3582S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU3582S даташит

 ..1. Size:293K  ruichips
 ru3582s.pdf pdf_icon

RU3582S

RU3582S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/100A, RDS (ON) =5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature TO-263 Lead Free,RoHS compliant Applications Switching Application Systems UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rati

 8.1. Size:301K  ruichips
 ru3582r.pdf pdf_icon

RU3582S

RU3582R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/100A, RDS (ON) =5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested TO-220 175 C Operating Temperature Lead Free,RoHS compliant Applications Switching Application Systems UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rati

Другие IGBT... RU30S5H, RU35122R, RU35122S, RU3520H, RU3560L, RU3568L, RU3568R, RU3582R, K4145, RU3710R, RU3710S, RU40120M, RU40120R, RU40120S, RU40130R, RU40150R, RU40150S