RU4089R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU4089R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 111 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 89 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de RU4089R MOSFET
RU4089R Datasheet (PDF)
ru4089r.pdf

RU4089RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/89A,RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching ApplicationsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings
Otros transistores... RU40150S , RU40190Q2 , RU40190S , RU40220R , RU40231Q2 , RU40231R , RU40280R , RU4068L , CS150N03A8 , RU4090L , RU4095L , RU4099Q , RU4099R , RU40E25L , RU40E32L , RU40E80L , RU40L10H .
History: SML20B56F | BSZ065N06LS5 | STH410N4F7-2AG | BSZ070N08LS5 | ISCNH375W | S-LBSS260DW1T1G | APT5030BN
History: SML20B56F | BSZ065N06LS5 | STH410N4F7-2AG | BSZ070N08LS5 | ISCNH375W | S-LBSS260DW1T1G | APT5030BN



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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