RU4089R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RU4089R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 111 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 89 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для RU4089R
RU4089R Datasheet (PDF)
ru4089r.pdf

RU4089RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/89A,RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching ApplicationsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings
Другие MOSFET... RU40150S , RU40190Q2 , RU40190S , RU40220R , RU40231Q2 , RU40231R , RU40280R , RU4068L , 18N50 , RU4090L , RU4095L , RU4099Q , RU4099R , RU40E25L , RU40E32L , RU40E80L , RU40L10H .
History: R6046FNZC8 | WPM3012 | WMM15N65C2 | SWD4N65DA | STH410N4F7-2AG | WML10N60C4 | SP8006
History: R6046FNZC8 | WPM3012 | WMM15N65C2 | SWD4N65DA | STH410N4F7-2AG | WML10N60C4 | SP8006



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent