RU4089R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU4089R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 111 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 89 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU4089R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU4089R даташит

 ..1. Size:306K  ruichips
 ru4089r.pdf pdf_icon

RU4089R

RU4089R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/89A, RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Switching Applications N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings

Другие IGBT... RU40150S, RU40190Q2, RU40190S, RU40220R, RU40231Q2, RU40231R, RU40280R, RU4068L, BS170, RU4090L, RU4095L, RU4099Q, RU4099R, RU40E25L, RU40E32L, RU40E80L, RU40L10H