RU4089R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU4089R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 111 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 89 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для RU4089R
RU4089R Datasheet (PDF)
ru4089r.pdf

RU4089RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/89A,RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching ApplicationsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings
Другие MOSFET... RU40150S , RU40190Q2 , RU40190S , RU40220R , RU40231Q2 , RU40231R , RU40280R , RU4068L , CS150N03A8 , RU4090L , RU4095L , RU4099Q , RU4099R , RU40E25L , RU40E32L , RU40E80L , RU40L10H .
History: APT5030BN | FW216A | IAUC120N04S6L008 | AP4963GEM | AOTL66914 | FTP02N65
History: APT5030BN | FW216A | IAUC120N04S6L008 | AP4963GEM | AOTL66914 | FTP02N65



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent