RU40P4H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU40P4H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: SOP-8

 Búsqueda de reemplazo de RU40P4H MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RU40P4H datasheet

 ..1. Size:302K  ruichips
 ru40p4h.pdf pdf_icon

RU40P4H

RU40P4H P-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description -40V/-4.5A, RDS (ON) =60m (Typ.) @ VGS=-10V RDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Available SOP-8 Applications Load Switches. P-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TA=25

 9.1. Size:331K  ruichips
 ru40p3c.pdf pdf_icon

RU40P4H

RU40P3C P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -40V/-3A, RDS (ON) =100m (Typ.)@VGS=-10V D RDS (ON) =150m (Typ.)@VGS=-4.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S SOT23-3 D Applications Load Switch DC/DC Converter G S P-Channel MOSFET Absolut

Otros transistores... RU4099Q, RU4099R, RU40E25L, RU40E32L, RU40E80L, RU40L10H, RU40L10L, RU40P3C, 20N50, RU40S4H, RU4H10P, RU4H10R, RU55111R, RU55200Q, RU55L18L, RU55L18R, RU5H13R