RU40P4H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU40P4H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU40P4H

RU40P4H Datasheet (PDF)

..1. Size:302K ruichips
ru40p4h.pdf

RU40P4HP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -40V/-4.5A,RDS (ON) =60m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications Load Switches.P-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25

9.1. Size:331K ruichips
ru40p3c.pdf

RU40P3CP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -40V/-3A, RDS (ON) =100m(Typ.)@VGS=-10VD RDS (ON) =150m(Typ.)@VGS=-4.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSSOT23-3DApplications Load SwitchDC/DC ConverterGSP-Channel MOSFETAbsolut

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Liste

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