RU40P4H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU40P4H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для RU40P4H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU40P4H даташит

 ..1. Size:302K  ruichips
 ru40p4h.pdf pdf_icon

RU40P4H

RU40P4H P-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description -40V/-4.5A, RDS (ON) =60m (Typ.) @ VGS=-10V RDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Available SOP-8 Applications Load Switches. P-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TA=25

 9.1. Size:331K  ruichips
 ru40p3c.pdf pdf_icon

RU40P4H

RU40P3C P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -40V/-3A, RDS (ON) =100m (Typ.)@VGS=-10V D RDS (ON) =150m (Typ.)@VGS=-4.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S SOT23-3 D Applications Load Switch DC/DC Converter G S P-Channel MOSFET Absolut

Другие IGBT... RU4099Q, RU4099R, RU40E25L, RU40E32L, RU40E80L, RU40L10H, RU40L10L, RU40P3C, 20N50, RU40S4H, RU4H10P, RU4H10R, RU55111R, RU55200Q, RU55L18L, RU55L18R, RU5H13R