RU40P4H - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU40P4H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для RU40P4H
RU40P4H Datasheet (PDF)
ru40p4h.pdf

RU40P4HP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -40V/-4.5A,RDS (ON) =60m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications Load Switches.P-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25
ru40p3c.pdf

RU40P3CP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -40V/-3A, RDS (ON) =100m(Typ.)@VGS=-10VD RDS (ON) =150m(Typ.)@VGS=-4.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSSOT23-3DApplications Load SwitchDC/DC ConverterGSP-Channel MOSFETAbsolut
Другие MOSFET... RU4099Q , RU4099R , RU40E25L , RU40E32L , RU40E80L , RU40L10H , RU40L10L , RU40P3C , IRF530 , RU40S4H , RU4H10P , RU4H10R , RU55111R , RU55200Q , RU55L18L , RU55L18R , RU5H13R .
History: IRF7307Q | JMTP3008A | STB15N65M5
History: IRF7307Q | JMTP3008A | STB15N65M5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor