RU40P4H - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU40P4H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для RU40P4H
RU40P4H Datasheet (PDF)
ru40p4h.pdf

RU40P4HP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -40V/-4.5A,RDS (ON) =60m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications Load Switches.P-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25
ru40p3c.pdf

RU40P3CP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -40V/-3A, RDS (ON) =100m(Typ.)@VGS=-10VD RDS (ON) =150m(Typ.)@VGS=-4.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSSOT23-3DApplications Load SwitchDC/DC ConverterGSP-Channel MOSFETAbsolut
Другие MOSFET... RU4099Q , RU4099R , RU40E25L , RU40E32L , RU40E80L , RU40L10H , RU40L10L , RU40P3C , 2N60 , RU40S4H , RU4H10P , RU4H10R , RU55111R , RU55200Q , RU55L18L , RU55L18R , RU5H13R .
History: PT4953 | PTD3006 | IRHQ6110 | TSM4N60CH | SLF60R080SS | GPT18N50DGN220FP | NCE30P30K
History: PT4953 | PTD3006 | IRHQ6110 | TSM4N60CH | SLF60R080SS | GPT18N50DGN220FP | NCE30P30K



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor