RU40S4H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU40S4H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 14 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.075 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU40S4H
RU40S4H Datasheet (PDF)
ru40s4h.pdf
RU40S4HP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -40V/-4A,RDS (ON) =65m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =85m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications Power Management.Dual P-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings
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