RU40S4H Todos los transistores

 

RU40S4H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU40S4H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

 Búsqueda de reemplazo de RU40S4H MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RU40S4H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  ruichips
 ru40s4h.pdf pdf_icon

RU40S4H

RU40S4HP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -40V/-4A,RDS (ON) =65m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =85m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications Power Management.Dual P-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings

Otros transistores... RU4099R , RU40E25L , RU40E32L , RU40E80L , RU40L10H , RU40L10L , RU40P3C , RU40P4H , CS150N03A8 , RU4H10P , RU4H10R , RU55111R , RU55200Q , RU55L18L , RU55L18R , RU5H13R , RU5H18Q .

 

 
Back to Top

 


 
.