RU40S4H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU40S4H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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RU40S4H datasheet

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RU40S4H

RU40S4H P-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description -40V/-4A, RDS (ON) =65m (Typ.) @ VGS=-10V RDS (ON) =85m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Available SOP-8 Applications Power Management. Dual P-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings

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