Справочник MOSFET. RU40S4H

 

RU40S4H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU40S4H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RU40S4H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  ruichips
 ru40s4h.pdf pdf_icon

RU40S4H

RU40S4HP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -40V/-4A,RDS (ON) =65m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =85m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications Power Management.Dual P-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings

Другие MOSFET... RU4099R , RU40E25L , RU40E32L , RU40E80L , RU40L10H , RU40L10L , RU40P3C , RU40P4H , 10N65 , RU4H10P , RU4H10R , RU55111R , RU55200Q , RU55L18L , RU55L18R , RU5H13R , RU5H18Q .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.