RU40S4H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU40S4H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для RU40S4H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU40S4H даташит

 ..1. Size:291K  ruichips
 ru40s4h.pdf pdf_icon

RU40S4H

RU40S4H P-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description -40V/-4A, RDS (ON) =65m (Typ.) @ VGS=-10V RDS (ON) =85m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Available SOP-8 Applications Power Management. Dual P-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings

Другие IGBT... RU4099R, RU40E25L, RU40E32L, RU40E80L, RU40L10H, RU40L10L, RU40P3C, RU40P4H, IRF520, RU4H10P, RU4H10R, RU55111R, RU55200Q, RU55L18L, RU55L18R, RU5H13R, RU5H18Q