RU4H10P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU4H10P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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RU4H10P datasheet

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RU4H10P

RU4H10P N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 400V/10A, RDS (ON) =0.45 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 18pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested TO-220F Lead Free and Green Available Applications High efficiency switch mode power supplies N-Channel MOSFET Lighting Absolute Maxim

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RU4H10P

RU4H10R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 400V/10A, RDS (ON) =0.45 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 23pF) Extremely high dv/dt capability TO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Available Applications High efficiency switch mode power supplies N-Channel MOSFET Lighting Absolute Maximu

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