RU4H10P Todos los transistores

 

RU4H10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU4H10P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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RU4H10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:297K  ruichips
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RU4H10P

RU4H10PN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 400V/10A,RDS (ON) =0.45 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 18pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche testedTO-220F Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maxim

 8.1. Size:293K  ruichips
 ru4h10r.pdf pdf_icon

RU4H10P

RU4H10RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 400V/10A,RDS (ON) =0.45 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 23pF) Extremely high dv/dt capabilityTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maximu

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History: NP70N10KUF

 

 
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