Справочник MOSFET. RU4H10P

 

RU4H10P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU4H10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для RU4H10P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU4H10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:297K  ruichips
 ru4h10p.pdf pdf_icon

RU4H10P

RU4H10PN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 400V/10A,RDS (ON) =0.45 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 18pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche testedTO-220F Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maxim

 8.1. Size:293K  ruichips
 ru4h10r.pdf pdf_icon

RU4H10P

RU4H10RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 400V/10A,RDS (ON) =0.45 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 23pF) Extremely high dv/dt capabilityTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maximu

Другие MOSFET... RU40E25L , RU40E32L , RU40E80L , RU40L10H , RU40L10L , RU40P3C , RU40P4H , RU40S4H , IRFB31N20D , RU4H10R , RU55111R , RU55200Q , RU55L18L , RU55L18R , RU5H13R , RU5H18Q , RU5H5L .

History: WMM10N60C4 | IRF7483MTRPBF | KIA65R420

 

 
Back to Top

 


 
.