RU4H10P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU4H10P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для RU4H10P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU4H10P даташит

 ..1. Size:297K  ruichips
 ru4h10p.pdf pdf_icon

RU4H10P

RU4H10P N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 400V/10A, RDS (ON) =0.45 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 18pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested TO-220F Lead Free and Green Available Applications High efficiency switch mode power supplies N-Channel MOSFET Lighting Absolute Maxim

 8.1. Size:293K  ruichips
 ru4h10r.pdf pdf_icon

RU4H10P

RU4H10R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 400V/10A, RDS (ON) =0.45 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 23pF) Extremely high dv/dt capability TO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Available Applications High efficiency switch mode power supplies N-Channel MOSFET Lighting Absolute Maximu

Другие IGBT... RU40E25L, RU40E32L, RU40E80L, RU40L10H, RU40L10L, RU40P3C, RU40P4H, RU40S4H, IRF2807, RU4H10R, RU55111R, RU55200Q, RU55L18L, RU55L18R, RU5H13R, RU5H18Q, RU5H5L