RU55111R Todos los transistores

 

RU55111R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU55111R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 73 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

RU55111R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  ruichips
ru55111r.pdf pdf_icon

RU55111R

RU55111RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 55V/110A,RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maxim

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History: SSM9971GJ | FDFMA2N028Z | MT4435ACTR | 2SK2666 | IRF7379 | 8N80G-TF1-T

 

 
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