RU55111R Todos los transistores

 

RU55111R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU55111R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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RU55111R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  ruichips
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RU55111R

RU55111RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 55V/110A,RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maxim

Otros transistores... RU40E80L , RU40L10H , RU40L10L , RU40P3C , RU40P4H , RU40S4H , RU4H10P , RU4H10R , IRFZ24N , RU55200Q , RU55L18L , RU55L18R , RU5H13R , RU5H18Q , RU5H5L , RU5H5P , RU5H5R .

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