RU55111R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU55111R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO-220

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RU55111R datasheet

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RU55111R

RU55111R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 55V/110A, RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =7m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS N-Channel MOSFET Absolute Maxim

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