RU55111R - аналоги и даташиты транзистора

 

 

RU55111R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU55111R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU55111R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

 

RU55111R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  ruichips
 ru55111r.pdf pdf_icon

RU55111R

RU55111RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 55V/110A,RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maxim

Другие MOSFET... RU40E80L , RU40L10H , RU40L10L , RU40P3C , RU40P4H , RU40S4H , RU4H10P , RU4H10R , IRFZ24N , RU55200Q , RU55L18L , RU55L18R , RU5H13R , RU5H18Q , RU5H5L , RU5H5P , RU5H5R .

History: NCEP070N10AGU | 5N60G-TA3-T

 

 
Back to Top

 


 
.