RU55111R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU55111R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU55111R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU55111R даташит

 ..1. Size:302K  ruichips
 ru55111r.pdf pdf_icon

RU55111R

RU55111R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 55V/110A, RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =7m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS N-Channel MOSFET Absolute Maxim

Другие IGBT... RU40E80L, RU40L10H, RU40L10L, RU40P3C, RU40P4H, RU40S4H, RU4H10P, RU4H10R, IRFZ24N, RU55200Q, RU55L18L, RU55L18R, RU5H13R, RU5H18Q, RU5H5L, RU5H5P, RU5H5R