RU55L18L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU55L18L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 625 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de RU55L18L MOSFET
RU55L18L Datasheet (PDF)
ru55l18l.pdf
RU55L18LP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -60V/-16A,RDS (ON) =100m(Typ.)@VGS=-10VRDS (ON) =125m(Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management Load Switch DC/DC C
ru55l18r.pdf
RU55L18RP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -60V/-16A,RDS (ON) =100m(Typ.)@VGS=-10VRDS (ON) =125m(Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management Load Switch DC/DC
Otros transistores... RU40L10L , RU40P3C , RU40P4H , RU40S4H , RU4H10P , RU4H10R , RU55111R , RU55200Q , 8N60 , RU55L18R , RU5H13R , RU5H18Q , RU5H5L , RU5H5P , RU5H5R , RU5H8P , RU5H8R .
History: DMG2301L
History: DMG2301L
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q
Popular searches
2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243