RU55L18L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU55L18L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 625 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm

Encapsulados: TO-252

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RU55L18L datasheet

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RU55L18L

RU55L18L P-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description -60V/-16A, RDS (ON) =100m (Typ.)@VGS=-10V RDS (ON) =125m (Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged TO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management Load Switch DC/DC C

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RU55L18L

RU55L18R P-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description -60V/-16A, RDS (ON) =100m (Typ.)@VGS=-10V RDS (ON) =125m (Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged TO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management Load Switch DC/DC

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