RU55L18L Todos los transistores

 

RU55L18L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU55L18L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 625 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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RU55L18L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  ruichips
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RU55L18L

RU55L18LP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -60V/-16A,RDS (ON) =100m(Typ.)@VGS=-10VRDS (ON) =125m(Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management Load Switch DC/DC C

 7.1. Size:320K  ruichips
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RU55L18L

RU55L18RP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -60V/-16A,RDS (ON) =100m(Typ.)@VGS=-10VRDS (ON) =125m(Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management Load Switch DC/DC

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History: SWF8N65D | NCEP050N12D | SI7409ADN | SSFK3208 | STB200NF04T4 | STB38N65M5 | IRFR3518PBF

 

 
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