Справочник MOSFET. RU55L18L

 

RU55L18L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU55L18L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 625 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для RU55L18L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU55L18L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  ruichips
 ru55l18l.pdf pdf_icon

RU55L18L

RU55L18LP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -60V/-16A,RDS (ON) =100m(Typ.)@VGS=-10VRDS (ON) =125m(Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management Load Switch DC/DC C

 7.1. Size:320K  ruichips
 ru55l18r.pdf pdf_icon

RU55L18L

RU55L18RP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -60V/-16A,RDS (ON) =100m(Typ.)@VGS=-10VRDS (ON) =125m(Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management Load Switch DC/DC

Другие MOSFET... RU40L10L , RU40P3C , RU40P4H , RU40S4H , RU4H10P , RU4H10R , RU55111R , RU55200Q , K2611 , RU55L18R , RU5H13R , RU5H18Q , RU5H5L , RU5H5P , RU5H5R , RU5H8P , RU5H8R .

History: SJMN088R65W | TMD2N60H | WML07N105C2 | IRFL3713 | SMT12N60 | SIZ346DT | SI6410DQ

 

 
Back to Top

 


 
.