RU5H18Q Todos los transistores

 

RU5H18Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU5H18Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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RU5H18Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  ruichips
 ru5h18q.pdf pdf_icon

RU5H18Q

RU5H18QN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description500V/18A,RDS (ON) =0.27 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 26pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested TO-247 Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maximum

 9.1. Size:319K  ruichips
 ru5h13r.pdf pdf_icon

RU5H18Q

RU5H13RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 500V/13A, RDS (ON) =420m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplications High efficiency switch mode power supplies LightingGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Rati

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History: APT31M100L | IRFU7540PBF | APT34F60B | FQP5N20L | NCEP6090GU | IPN95R3K7P7 | 2SK3095LS

 

 
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