Справочник MOSFET. RU5H18Q

 

RU5H18Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU5H18Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для RU5H18Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU5H18Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  ruichips
 ru5h18q.pdf pdf_icon

RU5H18Q

RU5H18QN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description500V/18A,RDS (ON) =0.27 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 26pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested TO-247 Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maximum

 9.1. Size:319K  ruichips
 ru5h13r.pdf pdf_icon

RU5H18Q

RU5H13RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 500V/13A, RDS (ON) =420m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplications High efficiency switch mode power supplies LightingGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Rati

Другие MOSFET... RU40S4H , RU4H10P , RU4H10R , RU55111R , RU55200Q , RU55L18L , RU55L18R , RU5H13R , RU6888R , RU5H5L , RU5H5P , RU5H5R , RU5H8P , RU5H8R , RU60100R , RU60101R , RU60120R .

History: K2N7002K | R6025ANZ | FDN371N | SWD5N65K | NDT12P20 | SNN3100L15Q | NTS4172NT1G

 

 
Back to Top

 


 
.