RU5H18Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU5H18Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для RU5H18Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU5H18Q даташит

 ..1. Size:283K  ruichips
 ru5h18q.pdf pdf_icon

RU5H18Q

RU5H18Q N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 500V/18A, RDS (ON) =0.27 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 26pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested TO-247 Lead Free and Green Available Applications High efficiency switch mode power supplies N-Channel MOSFET Lighting Absolute Maximum

 9.1. Size:319K  ruichips
 ru5h13r.pdf pdf_icon

RU5H18Q

RU5H13R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 500V/13A, RDS (ON) =420m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S TO220 D Applications High efficiency switch mode power supplies Lighting G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Rati

Другие IGBT... RU40S4H, RU4H10P, RU4H10R, RU55111R, RU55200Q, RU55L18L, RU55L18R, RU5H13R, AO3400A, RU5H5L, RU5H5P, RU5H5R, RU5H8P, RU5H8R, RU60100R, RU60101R, RU60120R