RU5H8P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU5H8P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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RU5H8P datasheet

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RU5H8P

RU5H8P N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 500V/8A, RDS (ON) =0.7 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 26pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested TO-220F Lead Free and Green Available Applications High efficiency switch mode power supplies N-Channel MOSFET Lighting Absolute Maximum R

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RU5H8P

RU5H8R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 500V/8A, RDS (ON) =0.7 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 26pF) Extremely high dv/dt capability TO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Available Applications High efficiency switch mode power supplies N-Channel MOSFET Lighting Absolute Maximum Ra

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