Справочник MOSFET. RU5H8P

 

RU5H8P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU5H8P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для RU5H8P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU5H8P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  ruichips
 ru5h8p.pdf pdf_icon

RU5H8P

RU5H8PN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description500V/8A,RDS (ON) =0.7 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 26pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche testedTO-220F Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maximum R

 9.1. Size:295K  ruichips
 ru5h8r.pdf pdf_icon

RU5H8P

RU5H8RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description500V/8A,RDS (ON) =0.7 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 26pF) Extremely high dv/dt capabilityTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maximum Ra

Другие MOSFET... RU55200Q , RU55L18L , RU55L18R , RU5H13R , RU5H18Q , RU5H5L , RU5H5P , RU5H5R , MMIS60R580P , RU5H8R , RU60100R , RU60101R , RU60120R , RU60190R , RU60200R , RU602B , RU60450Q .

History: NCEP050N85D | MTB12P04J3 | PSMN013-30MLC | NCEP065N85 | IPI65R600C6 | KND3208A | IRFR7540PBF

 

 
Back to Top

 


 
.