RU5H8P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU5H8P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для RU5H8P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU5H8P даташит

 ..1. Size:306K  ruichips
 ru5h8p.pdf pdf_icon

RU5H8P

RU5H8P N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 500V/8A, RDS (ON) =0.7 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 26pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested TO-220F Lead Free and Green Available Applications High efficiency switch mode power supplies N-Channel MOSFET Lighting Absolute Maximum R

 9.1. Size:295K  ruichips
 ru5h8r.pdf pdf_icon

RU5H8P

RU5H8R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 500V/8A, RDS (ON) =0.7 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 26pF) Extremely high dv/dt capability TO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Available Applications High efficiency switch mode power supplies N-Channel MOSFET Lighting Absolute Maximum Ra

Другие IGBT... RU55200Q, RU55L18L, RU55L18R, RU5H13R, RU5H18Q, RU5H5L, RU5H5P, RU5H5R, 7N60, RU5H8R, RU60100R, RU60101R, RU60120R, RU60190R, RU60200R, RU602B, RU60450Q