RU5H8P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU5H8P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для RU5H8P
RU5H8P Datasheet (PDF)
ru5h8p.pdf

RU5H8PN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description500V/8A,RDS (ON) =0.7 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 26pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche testedTO-220F Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maximum R
ru5h8r.pdf

RU5H8RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description500V/8A,RDS (ON) =0.7 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 26pF) Extremely high dv/dt capabilityTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maximum Ra
Другие MOSFET... RU55200Q , RU55L18L , RU55L18R , RU5H13R , RU5H18Q , RU5H5L , RU5H5P , RU5H5R , MMIS60R580P , RU5H8R , RU60100R , RU60101R , RU60120R , RU60190R , RU60200R , RU602B , RU60450Q .
History: APT8090BN | MEM2310X | CED3060 | MCAC30N06Y | UT9435G | NCEP02T10D | DMN63D8LW
History: APT8090BN | MEM2310X | CED3060 | MCAC30N06Y | UT9435G | NCEP02T10D | DMN63D8LW



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220