RU60200R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU60200R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 230 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de RU60200R MOSFET
RU60200R Datasheet (PDF)
ru60200r.pdf
RU60200RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/230A,RDS (ON) =2.5m (Typ.) VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inver
ru602b.pdf
RU602BN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/1.5A, RDS (ON) =220m(Typ.)@VGS=10VD Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSSOT23DApplications DC/DC Converter Battery SwitchGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rati
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History: WMK10N105C2 | STT3418 | 4N100L-TF2-T | WMO80R720S | 4N100L-TF1-T | WMK060N08HG2 | WMP80R1K5S
History: WMK10N105C2 | STT3418 | 4N100L-TF2-T | WMO80R720S | 4N100L-TF1-T | WMK060N08HG2 | WMP80R1K5S
Liste
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