RU60200R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU60200R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 230 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: TO-220

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RU60200R datasheet

 ..1. Size:304K  ruichips
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RU60200R

RU60200R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/230A, RDS (ON) =2.5m (Typ.) VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems Inver

 9.1. Size:322K  ruichips
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RU60200R

RU602B N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/1.5A, RDS (ON) =220m (Typ.)@VGS=10V D Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S SOT23 D Applications DC/DC Converter Battery Switch G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rati

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