RU60200R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU60200R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 230 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU60200R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU60200R даташит

 ..1. Size:304K  ruichips
 ru60200r.pdf pdf_icon

RU60200R

RU60200R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/230A, RDS (ON) =2.5m (Typ.) VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems Inver

 9.1. Size:322K  ruichips
 ru602b.pdf pdf_icon

RU60200R

RU602B N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/1.5A, RDS (ON) =220m (Typ.)@VGS=10V D Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S SOT23 D Applications DC/DC Converter Battery Switch G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rati

Другие IGBT... RU5H5P, RU5H5R, RU5H8P, RU5H8R, RU60100R, RU60101R, RU60120R, RU60190R, IRFB7545, RU602B, RU60450Q, RU6050L, RU6050R, RU6050S, RU6051K, RU6055L, RU6055R