RU60200R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RU60200R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 333 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 230 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 158 nC
Время нарастания (tr): 38 ns
Выходная емкость (Cd): 940 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0035 Ohm
Тип корпуса: TO-220
RU60200R Datasheet (PDF)
ru60200r.pdf
RU60200RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/230A,RDS (ON) =2.5m (Typ.) VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inver
ru602b.pdf
RU602BN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/1.5A, RDS (ON) =220m(Typ.)@VGS=10VD Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSSOT23DApplications DC/DC Converter Battery SwitchGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rati
Другие MOSFET... RU5H5P , RU5H5R , RU5H8P , RU5H8R , RU60100R , RU60101R , RU60120R , RU60190R , IRF1405 , RU602B , RU60450Q , RU6050L , RU6050R , RU6050S , RU6051K , RU6055L , RU6055R .
