RU60200R - аналоги и даташиты транзистора

 

RU60200R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU60200R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 230 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 158 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU60200R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  ruichips
 ru60200r.pdf pdf_icon

RU60200R

RU60200RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/230A,RDS (ON) =2.5m (Typ.) VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inver

 9.1. Size:322K  ruichips
 ru602b.pdf pdf_icon

RU60200R

RU602BN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/1.5A, RDS (ON) =220m(Typ.)@VGS=10VD Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSSOT23DApplications DC/DC Converter Battery SwitchGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rati

Другие MOSFET... RU5H5P , RU5H5R , RU5H8P , RU5H8R , RU60100R , RU60101R , RU60120R , RU60190R , 8N60 , RU602B , RU60450Q , RU6050L , RU6050R , RU6050S , RU6051K , RU6055L , RU6055R .

History: VS3647DB

 

 
Back to Top

 


 
.