RU60200R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU60200R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 230 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для RU60200R
RU60200R Datasheet (PDF)
ru60200r.pdf
RU60200RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/230A,RDS (ON) =2.5m (Typ.) VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inver
ru602b.pdf
RU602BN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/1.5A, RDS (ON) =220m(Typ.)@VGS=10VD Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSSOT23DApplications DC/DC Converter Battery SwitchGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rati
Другие MOSFET... RU5H5P , RU5H5R , RU5H8P , RU5H8R , RU60100R , RU60101R , RU60120R , RU60190R , IRFB7545 , RU602B , RU60450Q , RU6050L , RU6050R , RU6050S , RU6051K , RU6055L , RU6055R .
History: WML15N65C2 | WMM120N04TS | 2SK770 | WMLL020NV8HGS | WML50P04TS | AOD3N60 | ECH8602M
History: WML15N65C2 | WMM120N04TS | 2SK770 | WMLL020NV8HGS | WML50P04TS | AOD3N60 | ECH8602M
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q
Popular searches
2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor



