RU602B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU602B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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RU602B datasheet

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RU602B

RU602B N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/1.5A, RDS (ON) =220m (Typ.)@VGS=10V D Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S SOT23 D Applications DC/DC Converter Battery Switch G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rati

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RU602B

RU60200R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/230A, RDS (ON) =2.5m (Typ.) VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems Inver

Otros transistores... RU5H5R, RU5H8P, RU5H8R, RU60100R, RU60101R, RU60120R, RU60190R, RU60200R, AON7403, RU60450Q, RU6050L, RU6050R, RU6050S, RU6051K, RU6055L, RU6055R, RU6055S