RU602B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU602B
   Código: 3*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU602B

RU602B Datasheet (PDF)

..1. Size:322K ruichips
ru602b.pdf

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9.1. Size:304K ruichips
ru60200r.pdf

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: