RU602B Todos los transistores

 

RU602B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU602B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

 Búsqueda de reemplazo de RU602B MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RU602B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  ruichips
 ru602b.pdf pdf_icon

RU602B

RU602BN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/1.5A, RDS (ON) =220m(Typ.)@VGS=10VD Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSSOT23DApplications DC/DC Converter Battery SwitchGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rati

 9.1. Size:304K  ruichips
 ru60200r.pdf pdf_icon

RU602B

RU60200RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/230A,RDS (ON) =2.5m (Typ.) VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inver

Otros transistores... RU5H5R , RU5H8P , RU5H8R , RU60100R , RU60101R , RU60120R , RU60190R , RU60200R , EMB04N03H , RU60450Q , RU6050L , RU6050R , RU6050S , RU6051K , RU6055L , RU6055R , RU6055S .

History: WMS09N06TS | NCE30P28Q | IRFB260N | IRHYB67134CM | IRL3803VS | RDD020N60 | NCEP030N85GU

 

 
Back to Top

 


 
.