Справочник MOSFET. RU602B

 

RU602B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU602B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для RU602B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU602B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  ruichips
 ru602b.pdf pdf_icon

RU602B

RU602BN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/1.5A, RDS (ON) =220m(Typ.)@VGS=10VD Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSSOT23DApplications DC/DC Converter Battery SwitchGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rati

 9.1. Size:304K  ruichips
 ru60200r.pdf pdf_icon

RU602B

RU60200RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/230A,RDS (ON) =2.5m (Typ.) VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inver

Другие MOSFET... RU5H5R , RU5H8P , RU5H8R , RU60100R , RU60101R , RU60120R , RU60190R , RU60200R , EMB04N03H , RU60450Q , RU6050L , RU6050R , RU6050S , RU6051K , RU6055L , RU6055R , RU6055S .

History: IXFA10N80P | APT20M20JLL | IRF9Z34NPBF | NCEP050N85M | IRL3716S | PV5G3EA

 

 
Back to Top

 


 
.