RU602B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RU602B
Маркировка: 3*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6.5 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 26 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
RU602B Datasheet (PDF)
ru602b.pdf
RU602BN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/1.5A, RDS (ON) =220m(Typ.)@VGS=10VD Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSSOT23DApplications DC/DC Converter Battery SwitchGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rati
ru60200r.pdf
RU60200RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/230A,RDS (ON) =2.5m (Typ.) VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inver
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
