RU602B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU602B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для RU602B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU602B даташит

 ..1. Size:322K  ruichips
 ru602b.pdf pdf_icon

RU602B

RU602B N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/1.5A, RDS (ON) =220m (Typ.)@VGS=10V D Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S SOT23 D Applications DC/DC Converter Battery Switch G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rati

 9.1. Size:304K  ruichips
 ru60200r.pdf pdf_icon

RU602B

RU60200R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/230A, RDS (ON) =2.5m (Typ.) VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems Inver

Другие IGBT... RU5H5R, RU5H8P, RU5H8R, RU60100R, RU60101R, RU60120R, RU60190R, RU60200R, AON7403, RU60450Q, RU6050L, RU6050R, RU6050S, RU6051K, RU6055L, RU6055R, RU6055S