RU60450Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU60450Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 600 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 450 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 415 nC
Tiempo de subida (tr): 230 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1450 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0018 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU60450Q
RU60450Q Datasheet (PDF)
..1. Size:288K ruichips
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RU60450QN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/450A, RDS (ON) =1.3m(Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO247DApplicationsSwitching Appl
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