RU60450Q - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU60450Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 450 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 230 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1450 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для RU60450Q
RU60450Q Datasheet (PDF)
ru60450q.pdf

RU60450QN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/450A, RDS (ON) =1.3m(Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO247DApplicationsSwitching Appl
Другие MOSFET... RU5H8P , RU5H8R , RU60100R , RU60101R , RU60120R , RU60190R , RU60200R , RU602B , IRFZ48N , RU6050L , RU6050R , RU6050S , RU6051K , RU6055L , RU6055R , RU6055S , RU6070L .
History: SM3381EHQG | RU60D5H | STF10N95K5
History: SM3381EHQG | RU60D5H | STF10N95K5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent