RU60450Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU60450Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 450 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 230 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для RU60450Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU60450Q даташит

 ..1. Size:288K  ruichips
 ru60450q.pdf pdf_icon

RU60450Q

RU60450Q N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/450A, RDS (ON) =1.3m (Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S TO247 D Applications Switching Appl

Другие IGBT... RU5H8P, RU5H8R, RU60100R, RU60101R, RU60120R, RU60190R, RU60200R, RU602B, K2611, RU6050L, RU6050R, RU6050S, RU6051K, RU6055L, RU6055R, RU6055S, RU6070L