RU60450Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RU60450Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 600 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 450 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 415 nC
Время нарастания (tr): 230 ns
Выходная емкость (Cd): 1450 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0018 Ohm
Тип корпуса: TO-247
RU60450Q Datasheet (PDF)
..1. Size:288K ruichips
ru60450q.pdf
ru60450q.pdf
RU60450QN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/450A, RDS (ON) =1.3m(Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO247DApplicationsSwitching Appl
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
