RU6080L Todos los transistores

 

RU6080L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU6080L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 55 nC
   Tiempo de subida (tr): 45 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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RU6080L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:288K  ruichips
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RU6080LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/80A,RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252Applications SMPS High Speed Power SwitchingN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (

 9.1. Size:636K  ruichips
ru6085h.pdf

RU6080L
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RU6085HN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/80A, RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =6.5m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SOP-8Applications Power Management. Switch Applications. Load switchN-Channel MO

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