Справочник MOSFET. RU6080L

 

RU6080L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU6080L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для RU6080L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6080L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:288K  ruichips
 ru6080l.pdf pdf_icon

RU6080L

RU6080LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/80A,RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252Applications SMPS High Speed Power SwitchingN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (

 9.1. Size:636K  ruichips
 ru6085h.pdf pdf_icon

RU6080L

RU6085HN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/80A, RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =6.5m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SOP-8Applications Power Management. Switch Applications. Load switchN-Channel MO

Другие MOSFET... RU6050R , RU6050S , RU6051K , RU6055L , RU6055R , RU6055S , RU6070L , RU6075R , IRFZ44N , RU6099R , RU6099S , RU60C20R5 , RU60D5H , RU60E16L , RU60E16R , RU60E25L , RU60E25R .

History: SI4463BDY-T1 | BRCS4828SC | NDB610A | IRLU3110Z

 

 
Back to Top

 


 
.