RU6080L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU6080L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RU6080L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6080L даташит

 ..1. Size:288K  ruichips
 ru6080l.pdf pdf_icon

RU6080L

RU6080L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/80A, RDS (ON) =7m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252 Applications SMPS High Speed Power Switching N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (

 9.1. Size:636K  ruichips
 ru6085h.pdf pdf_icon

RU6080L

RU6085H N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/80A, RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) SOP-8 Applications Power Management. Switch Applications. Load switch N-Channel MO

Другие IGBT... RU6050R, RU6050S, RU6051K, RU6055L, RU6055R, RU6055S, RU6070L, RU6075R, IRFZ44N, RU6099R, RU6099S, RU60C20R5, RU60D5H, RU60E16L, RU60E16R, RU60E25L, RU60E25R