RU6099R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU6099R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de RU6099R MOSFET
RU6099R Datasheet (PDF)
ru6099r.pdf

RU6099R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/120A, RDS (ON) =6m (Typ.) @VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems
ru6099s.pdf

RU6099SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/120A,RDS (ON) =6m(Typ.) @VGS=10VD Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureG Lead Free and Green AvailableSTO263DApplications Switching Application Systems Inverter
Otros transistores... RU6050S , RU6051K , RU6055L , RU6055R , RU6055S , RU6070L , RU6075R , RU6080L , IRF3205 , RU6099S , RU60C20R5 , RU60D5H , RU60E16L , RU60E16R , RU60E25L , RU60E25R , RU60E5D .
History: CS40N20A8 | SSH6N55 | RF1S30P05SM
History: CS40N20A8 | SSH6N55 | RF1S30P05SM



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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