RU6099R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU6099R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de RU6099R MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RU6099R datasheet

 ..1. Size:338K  ruichips
 ru6099r.pdf pdf_icon

RU6099R

RU6099R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/120A, RDS (ON) =6m (Typ.) @VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems

 8.1. Size:320K  ruichips
 ru6099s.pdf pdf_icon

RU6099R

RU6099S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/120A, RDS (ON) =6m(Typ.) @VGS=10V D Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature G Lead Free and Green Available S TO263 D Applications Switching Application Systems Inverter

Otros transistores... RU6050S, RU6051K, RU6055L, RU6055R, RU6055S, RU6070L, RU6075R, RU6080L, IRF3205, RU6099S, RU60C20R5, RU60D5H, RU60E16L, RU60E16R, RU60E25L, RU60E25R, RU60E5D