Справочник MOSFET. RU6099R

 

RU6099R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU6099R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU6099R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6099R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  ruichips
 ru6099r.pdf pdf_icon

RU6099R

RU6099R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/120A, RDS (ON) =6m (Typ.) @VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems

 8.1. Size:320K  ruichips
 ru6099s.pdf pdf_icon

RU6099R

RU6099SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/120A,RDS (ON) =6m(Typ.) @VGS=10VD Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureG Lead Free and Green AvailableSTO263DApplications Switching Application Systems Inverter

Другие MOSFET... RU6050S , RU6051K , RU6055L , RU6055R , RU6055S , RU6070L , RU6075R , RU6080L , IRF3205 , RU6099S , RU60C20R5 , RU60D5H , RU60E16L , RU60E16R , RU60E25L , RU60E25R , RU60E5D .

History: HSM3115 | IRF6798M | IRLR120 | SI7402DN | IRL3102SPBF | SRH03P098LMTR-G | SSF6010A

 

 
Back to Top

 


 
.