RU60C20R5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU60C20R5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO-220-5

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RU60C20R5 datasheet

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RU60C20R5

RU60C20R5 Complementary Advanced Power MOSFET Features Pin Description N-Channel 60V/20A, RDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=10V D1/D2 P-Channel -60V/-15A, R =110m (Typ) @VGS=-10V RDS (ON) =110m (Typ.) @ V = 10V Reliable and Rugged ESD Protected S2 Lead Free and Green Available G2 G1S1 TO220-5 D2/D1 D2/D1 D2/D1 D2/D1 D2/D1 D2/D1 D2/D1 Applications pp

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