RU60C20R5 Todos los transistores

 

RU60C20R5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU60C20R5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220-5
 

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RU60C20R5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  ruichips
 ru60c20r5.pdf pdf_icon

RU60C20R5

RU60C20R5Complementary Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description N-Channel60V/20A,RDS (ON) =30m(Typ.) @ VGS=10V D1/D2 P-Channel-60V/-15A,R =110m (Typ) @VGS=-10VRDS (ON) =110m (Typ.) @ V = 10V Reliable and Rugged ESD ProtectedS2 Lead Free and Green AvailableG2G1S1TO220-5D2/D1D2/D1D2/D1D2/D1D2/D1D2/D1D2/D1Applicationspp

Otros transistores... RU6055L , RU6055R , RU6055S , RU6070L , RU6075R , RU6080L , RU6099R , RU6099S , IRF840 , RU60D5H , RU60E16L , RU60E16R , RU60E25L , RU60E25R , RU60E5D , RU60E5H , RU60E6D .

History: WMN11N65SR

 

 
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