RU60C20R5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU60C20R5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO-220-5

Аналог (замена) для RU60C20R5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU60C20R5 даташит

 ..1. Size:481K  ruichips
 ru60c20r5.pdf pdf_icon

RU60C20R5

RU60C20R5 Complementary Advanced Power MOSFET Features Pin Description N-Channel 60V/20A, RDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=10V D1/D2 P-Channel -60V/-15A, R =110m (Typ) @VGS=-10V RDS (ON) =110m (Typ.) @ V = 10V Reliable and Rugged ESD Protected S2 Lead Free and Green Available G2 G1S1 TO220-5 D2/D1 D2/D1 D2/D1 D2/D1 D2/D1 D2/D1 D2/D1 Applications pp

Другие IGBT... RU6055L, RU6055R, RU6055S, RU6070L, RU6075R, RU6080L, RU6099R, RU6099S, IRF840, RU60D5H, RU60E16L, RU60E16R, RU60E25L, RU60E25R, RU60E5D, RU60E5H, RU60E6D