Справочник MOSFET. RU60C20R5

 

RU60C20R5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU60C20R5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-220-5
 

 Аналог (замена) для RU60C20R5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU60C20R5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  ruichips
 ru60c20r5.pdf pdf_icon

RU60C20R5

RU60C20R5Complementary Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description N-Channel60V/20A,RDS (ON) =30m(Typ.) @ VGS=10V D1/D2 P-Channel-60V/-15A,R =110m (Typ) @VGS=-10VRDS (ON) =110m (Typ.) @ V = 10V Reliable and Rugged ESD ProtectedS2 Lead Free and Green AvailableG2G1S1TO220-5D2/D1D2/D1D2/D1D2/D1D2/D1D2/D1D2/D1Applicationspp

Другие MOSFET... RU6055L , RU6055R , RU6055S , RU6070L , RU6075R , RU6080L , RU6099R , RU6099S , IRF840 , RU60D5H , RU60E16L , RU60E16R , RU60E25L , RU60E25R , RU60E5D , RU60E5H , RU60E6D .

 

 
Back to Top

 


 
.