RU60C20R5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RU60C20R5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO-220-5
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
RU60C20R5 Datasheet (PDF)
ru60c20r5.pdf

RU60C20R5Complementary Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description N-Channel60V/20A,RDS (ON) =30m(Typ.) @ VGS=10V D1/D2 P-Channel-60V/-15A,R =110m (Typ) @VGS=-10VRDS (ON) =110m (Typ.) @ V = 10V Reliable and Rugged ESD ProtectedS2 Lead Free and Green AvailableG2G1S1TO220-5D2/D1D2/D1D2/D1D2/D1D2/D1D2/D1D2/D1Applicationspp
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: ZVP0535A
History: ZVP0535A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031