RU60D5H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU60D5H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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RU60D5H datasheet

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RU60D5H

RU60D5H N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/5.4A, RDS (ON) =32m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =40m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD Protected SOP-8 Lead Free and Green Available Applications Power Management Load Switch DC/DC Converter Dual N-Channel MOSFET Absolute Maximum R

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