RU60D5H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU60D5H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de RU60D5H MOSFET
RU60D5H Datasheet (PDF)
ru60d5h.pdf

RU60D5HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/5.4A,RDS (ON) =32m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =40m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD ProtectedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power Management Load Switch DC/DC ConverterDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum R
Otros transistores... RU6055R , RU6055S , RU6070L , RU6075R , RU6080L , RU6099R , RU6099S , RU60C20R5 , 20N60 , RU60E16L , RU60E16R , RU60E25L , RU60E25R , RU60E5D , RU60E5H , RU60E6D , RU60E6H .
History: IRFR214A
History: IRFR214A



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