Справочник MOSFET. RU60D5H

 

RU60D5H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU60D5H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для RU60D5H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU60D5H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  ruichips
 ru60d5h.pdf pdf_icon

RU60D5H

RU60D5HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/5.4A,RDS (ON) =32m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =40m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD ProtectedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power Management Load Switch DC/DC ConverterDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum R

Другие MOSFET... RU6055R , RU6055S , RU6070L , RU6075R , RU6080L , RU6099R , RU6099S , RU60C20R5 , 20N60 , RU60E16L , RU60E16R , RU60E25L , RU60E25R , RU60E5D , RU60E5H , RU60E6D , RU60E6H .

History: SML1001R3HN | SSH5N90A | HY1906C2

 

 
Back to Top

 


 
.