RU60D5H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU60D5H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для RU60D5H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU60D5H даташит

 ..1. Size:267K  ruichips
 ru60d5h.pdf pdf_icon

RU60D5H

RU60D5H N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/5.4A, RDS (ON) =32m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =40m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD Protected SOP-8 Lead Free and Green Available Applications Power Management Load Switch DC/DC Converter Dual N-Channel MOSFET Absolute Maximum R

Другие IGBT... RU6055R, RU6055S, RU6070L, RU6075R, RU6080L, RU6099R, RU6099S, RU60C20R5, 20N60, RU60E16L, RU60E16R, RU60E25L, RU60E25R, RU60E5D, RU60E5H, RU60E6D, RU60E6H