RU60E6H Todos los transistores

 

RU60E6H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU60E6H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

 Búsqueda de reemplazo de RU60E6H MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RU60E6H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  ruichips
ru60e6h.pdf pdf_icon

RU60E6H

RU60E6HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/6A,RDS (ON) =31m (Type) @ VGS=10VRDS (ON) =37m (Type) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD ProtectedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power Management. Switch Applications.N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolPa

 8.1. Size:250K  ruichips
ru60e6d.pdf pdf_icon

RU60E6H

RU60E6DN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/6A,RDS (ON) =32m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =40m (Typ.) @ VGS=4.5V ESD Protected Reliable and RuggedSOT-223 Ultra Low On-Resistance Lead Free and Green AvailableApplications Power Management DC-DC ConverterN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter R

 9.1. Size:287K  ruichips
ru60e16l.pdf pdf_icon

RU60E6H

RU60E16LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/16A,RDS (ON) =60m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =75m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximum

 9.2. Size:301K  ruichips
ru60e16r.pdf pdf_icon

RU60E6H

RU60E16RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/16A,RDS (ON) =60m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =75m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParame

Otros transistores... RU60D5H , RU60E16L , RU60E16R , RU60E25L , RU60E25R , RU60E5D , RU60E5H , RU60E6D , IRFP260N , RU60P60R , RU6199Q , RU6199R , RU65120R , RU6581L , RU6581R , RU6881R , RU6888M .

 

 
Back to Top

 


 
.