RU60E6H. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: RU60E6H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для RU60E6H
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
RU60E6H даташит
ru60e6h.pdf
RU60E6H N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/6A, RDS (ON) =31m (Type) @ VGS=10V RDS (ON) =37m (Type) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD Protected SOP-8 Lead Free and Green Available Applications Power Management. Switch Applications. N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Pa
ru60e6d.pdf
RU60E6D N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/6A, RDS (ON) =32m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =40m (Typ.) @ VGS=4.5V ESD Protected Reliable and Rugged SOT-223 Ultra Low On-Resistance Lead Free and Green Available Applications Power Management DC-DC Converter N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter R
ru60e16l.pdf
RU60E16L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/16A, RDS (ON) =60m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =75m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged TO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management N-Channel MOSFET Absolute Maximum
ru60e16r.pdf
RU60E16R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/16A, RDS (ON) =60m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =75m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parame
Другие IGBT... RU60D5H, RU60E16L, RU60E16R, RU60E25L, RU60E25R, RU60E5D, RU60E5H, RU60E6D, IRLZ44N, RU60P60R, RU6199Q, RU6199R, RU65120R, RU6581L, RU6581R, RU6881R, RU6888M
History: SWK200R10VT
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362









