RU60P60R Todos los transistores

 

RU60P60R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU60P60R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 94 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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RU60P60R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  ruichips
 ru60p60r.pdf pdf_icon

RU60P60R

RU60P60RP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -60V/-60A, RDS (ON) =22m(Typ.)@VGS=-10V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplicationsInvertersGSP-

Otros transistores... RU60E16L , RU60E16R , RU60E25L , RU60E25R , RU60E5D , RU60E5H , RU60E6D , RU60E6H , IRF640N , RU6199Q , RU6199R , RU65120R , RU6581L , RU6581R , RU6881R , RU6888M , RU6888S .

History: IRF5803D2 | STP3N150 | 14N50G-TA3-T | 12N60G-T2Q-T | 15N70 | 12N70KL-TN3-R | IRLR2908TR

 

 
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