RU60P60R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU60P60R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 94 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de RU60P60R MOSFET
RU60P60R Datasheet (PDF)
ru60p60r.pdf

RU60P60RP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -60V/-60A, RDS (ON) =22m(Typ.)@VGS=-10V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplicationsInvertersGSP-
Otros transistores... RU60E16L , RU60E16R , RU60E25L , RU60E25R , RU60E5D , RU60E5H , RU60E6D , RU60E6H , IRF640N , RU6199Q , RU6199R , RU65120R , RU6581L , RU6581R , RU6881R , RU6888M , RU6888S .
History: WPMD2011 | 2SK1356 | RU60E25L | WMP10N65C4 | WMM4N90D1 | LNH04R165 | SM4601CSK
History: WPMD2011 | 2SK1356 | RU60E25L | WMP10N65C4 | WMM4N90D1 | LNH04R165 | SM4601CSK



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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