RU60P60R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU60P60R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 94 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU60P60R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU60P60R даташит

 ..1. Size:329K  ruichips
 ru60p60r.pdf pdf_icon

RU60P60R

RU60P60R P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -60V/-60A, RDS (ON) =22m (Typ.)@VGS=-10V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S TO220 D Applications Inverters G S P-

Другие IGBT... RU60E16L, RU60E16R, RU60E25L, RU60E25R, RU60E5D, RU60E5H, RU60E6D, RU60E6H, IRFB4110, RU6199Q, RU6199R, RU65120R, RU6581L, RU6581R, RU6881R, RU6888M, RU6888S