Справочник MOSFET. RU60P60R

 

RU60P60R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU60P60R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 94 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU60P60R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU60P60R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  ruichips
 ru60p60r.pdf pdf_icon

RU60P60R

RU60P60RP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -60V/-60A, RDS (ON) =22m(Typ.)@VGS=-10V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplicationsInvertersGSP-

Другие MOSFET... RU60E16L , RU60E16R , RU60E25L , RU60E25R , RU60E5D , RU60E5H , RU60E6D , RU60E6H , IRF640N , RU6199Q , RU6199R , RU65120R , RU6581L , RU6581R , RU6881R , RU6888M , RU6888S .

 

 
Back to Top

 


 
.