RU65120R Todos los transistores

 

RU65120R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU65120R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 188 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de RU65120R MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RU65120R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  ruichips
 ru65120r.pdf pdf_icon

RU65120R

RU65120RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 65V/120A,RDS (ON) =4.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter

 9.1. Size:367K  ruichips
 ru65110r.pdf pdf_icon

RU65120R

RU65110RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 65V/110A, RDS (ON) =4.5m(Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedF t S it hi d F ll A l h R t d 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)G

Otros transistores... RU60E25R , RU60E5D , RU60E5H , RU60E6D , RU60E6H , RU60P60R , RU6199Q , RU6199R , IRFB4227 , RU6581L , RU6581R , RU6881R , RU6888M , RU6888S , RU6H1L , RU6H2K , RU6H2L .

History: 2SK1191 | WMQ46N03T1 | WMK4N150D1 | JMSL0406AKQ | LSD70R640GT | SI3134K | RU60E16L

 

 
Back to Top

 


 
.