RU65120R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU65120R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU65120R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU65120R даташит

 ..1. Size:304K  ruichips
 ru65120r.pdf pdf_icon

RU65120R

RU65120R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 65V/120A, RDS (ON) =4.5m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter

 9.1. Size:367K  ruichips
 ru65110r.pdf pdf_icon

RU65120R

RU65110R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 65V/110A, RDS (ON) =4.5m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated F t S it hi d F ll A l h R t d 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G

Другие IGBT... RU60E25R, RU60E5D, RU60E5H, RU60E6D, RU60E6H, RU60P60R, RU6199Q, RU6199R, AO3400, RU6581L, RU6581R, RU6881R, RU6888M, RU6888S, RU6H1L, RU6H2K, RU6H2L