Справочник MOSFET. RU65120R

 

RU65120R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RU65120R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 188 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 65 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 65 nC
   Время нарастания (tr): 46 ns
   Выходная емкость (Cd): 450 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для RU65120R

 

 

RU65120R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  ruichips
ru65120r.pdf

RU65120R
RU65120R

RU65120RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 65V/120A,RDS (ON) =4.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top