RU6581R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU6581R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 111 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 81 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO-220

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RU6581R datasheet

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RU6581R

RU6581R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 65V/81A, RDS (ON) =7m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Switching Application Systems UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Paramete

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RU6581R

RU6581L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 65V/81A, RDS (ON) =7m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Switching Application Systems UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Paramete

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