Справочник MOSFET. RU6581R

 

RU6581R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU6581R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 111 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 81 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU6581R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6581R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  ruichips
 ru6581r.pdf pdf_icon

RU6581R

RU6581RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 65V/81A,RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching Application Systems UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParamete

 8.1. Size:294K  ruichips
 ru6581l.pdf pdf_icon

RU6581R

RU6581LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 65V/81A,RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching Application Systems UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParamete

Другие MOSFET... RU60E5H , RU60E6D , RU60E6H , RU60P60R , RU6199Q , RU6199R , RU65120R , RU6581L , P55NF06 , RU6881R , RU6888M , RU6888S , RU6H1L , RU6H2K , RU6H2L , RU6H2R , RU6H4R .

History: HFH12N60 | 2N6768 | SM2225NSQG

 

 
Back to Top

 


 
.