RU6581R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU6581R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 111 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 81 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU6581R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6581R даташит

 ..1. Size:303K  ruichips
 ru6581r.pdf pdf_icon

RU6581R

RU6581R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 65V/81A, RDS (ON) =7m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Switching Application Systems UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Paramete

 8.1. Size:294K  ruichips
 ru6581l.pdf pdf_icon

RU6581R

RU6581L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 65V/81A, RDS (ON) =7m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Switching Application Systems UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Paramete

Другие IGBT... RU60E5H, RU60E6D, RU60E6H, RU60P60R, RU6199Q, RU6199R, RU65120R, RU6581L, IRF3710, RU6881R, RU6888M, RU6888S, RU6H1L, RU6H2K, RU6H2L, RU6H2R, RU6H4R