Справочник MOSFET. RU6581R

 

RU6581R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU6581R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 111 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 81 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6581R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  ruichips
 ru6581r.pdf pdf_icon

RU6581R

RU6581RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 65V/81A,RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching Application Systems UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParamete

 8.1. Size:294K  ruichips
 ru6581l.pdf pdf_icon

RU6581R

RU6581LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 65V/81A,RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching Application Systems UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParamete

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2N4221A | WMJ38N60C2 | VMM650-01F | SM3203CSQ | AO6804A | IRFBA1404 | BLM3407A

 

 
Back to Top

 


 
.