RU6H1L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU6H1L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 5.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de RU6H1L MOSFET
RU6H1L Datasheet (PDF)
ru6h1l.pdf

RU6H1L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 600V/1.2A, RDS (ON) =10 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 4pF) Extremely high dv/dt capability TO-252 100% avalanche tested Lead Free and Green Available Applications High efficiency switch mode power supplies N-Channel MOSFET Lighting Absolute M
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History: IXTP26P20P | 2N6760JANTX | FDS6900AS
History: IXTP26P20P | 2N6760JANTX | FDS6900AS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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