RU6H1L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU6H1L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 31 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 1.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 5.5 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 23 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 11.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU6H1L
RU6H1L Datasheet (PDF)
ru6h1l.pdf
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RU6H1L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 600V/1.2A, RDS (ON) =10 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 4pF) Extremely high dv/dt capability TO-252 100% avalanche tested Lead Free and Green Available Applications High efficiency switch mode power supplies N-Channel MOSFET Lighting Absolute M
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