RU6H1L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU6H1L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11.5 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RU6H1L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6H1L даташит

 ..1. Size:326K  ruichips
 ru6h1l.pdf pdf_icon

RU6H1L

RU6H1L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 600V/1.2A, RDS (ON) =10 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 4pF) Extremely high dv/dt capability TO-252 100% avalanche tested Lead Free and Green Available Applications High efficiency switch mode power supplies N-Channel MOSFET Lighting Absolute M

Другие IGBT... RU6199Q, RU6199R, RU65120R, RU6581L, RU6581R, RU6881R, RU6888M, RU6888S, 2N7000, RU6H2K, RU6H2L, RU6H2R, RU6H4R, RU6H5L, RU6H7R, RU6H9P, RU6H9R