RU6H1L - аналоги и даташиты транзистора

 

RU6H1L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU6H1L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для RU6H1L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6H1L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  ruichips
 ru6h1l.pdf pdf_icon

RU6H1L

RU6H1L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 600V/1.2A, RDS (ON) =10 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 4pF) Extremely high dv/dt capability TO-252 100% avalanche tested Lead Free and Green Available Applications High efficiency switch mode power supplies N-Channel MOSFET Lighting Absolute M

Другие MOSFET... RU6199Q , RU6199R , RU65120R , RU6581L , RU6581R , RU6881R , RU6888M , RU6888S , 2N7000 , RU6H2K , RU6H2L , RU6H2R , RU6H4R , RU6H5L , RU6H7R , RU6H9P , RU6H9R .

History: 2SK800 | WML12N100C2 | WMK26N60C4 | WMM14N70C4 | 2SK701 | WMM15N60C4 | WML080N10HG2

 

 
Back to Top

 


 
.