RU6H1L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU6H1L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11.5 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для RU6H1L
RU6H1L Datasheet (PDF)
ru6h1l.pdf

RU6H1L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 600V/1.2A, RDS (ON) =10 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 4pF) Extremely high dv/dt capability TO-252 100% avalanche tested Lead Free and Green Available Applications High efficiency switch mode power supplies N-Channel MOSFET Lighting Absolute M
Другие MOSFET... RU6199Q , RU6199R , RU65120R , RU6581L , RU6581R , RU6881R , RU6888M , RU6888S , IRFP250N , RU6H2K , RU6H2L , RU6H2R , RU6H4R , RU6H5L , RU6H7R , RU6H9P , RU6H9R .
History: SSF2301A | RFL1N18 | STLT29 | STM8601 | SSF2300A | BSS84KS3 | AON3816
History: SSF2301A | RFL1N18 | STLT29 | STM8601 | SSF2300A | BSS84KS3 | AON3816



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360