RU6H4R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU6H4R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de RU6H4R MOSFET
RU6H4R Datasheet (PDF)
ru6h4r.pdf

RU6H4RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 600V/4A, RDS (ON) =1800m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplications High efficiency switch mode power supplies LightingGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratin
Otros transistores... RU6581R , RU6881R , RU6888M , RU6888S , RU6H1L , RU6H2K , RU6H2L , RU6H2R , AON7408 , RU6H5L , RU6H7R , RU6H9P , RU6H9R , RU6Z5R , RU6Z8R , RU70100R , RU70190R .
History: IPSA70R750P7S | AU6N70S | HGK210N20S | 7N60GS | UT3N10L-TN3-R | UT2316G-AE3-R | TK4Q60DA
History: IPSA70R750P7S | AU6N70S | HGK210N20S | 7N60GS | UT3N10L-TN3-R | UT2316G-AE3-R | TK4Q60DA



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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