RU6H4R Todos los transistores

 

RU6H4R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU6H4R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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RU6H4R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  ruichips
 ru6h4r.pdf pdf_icon

RU6H4R

RU6H4RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 600V/4A, RDS (ON) =1800m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplications High efficiency switch mode power supplies LightingGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratin

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History: RU7550R

 

 
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