RU6H4R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU6H4R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm

Encapsulados: TO-220

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RU6H4R datasheet

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RU6H4R

RU6H4R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 600V/4A, RDS (ON) =1800m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S TO220 D Applications High efficiency switch mode power supplies Lighting G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratin

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