RU6H4R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU6H4R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RU6H4R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6H4R даташит

 ..1. Size:320K  ruichips
 ru6h4r.pdf pdf_icon

RU6H4R

RU6H4R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 600V/4A, RDS (ON) =1800m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S TO220 D Applications High efficiency switch mode power supplies Lighting G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratin

Другие IGBT... RU6581R, RU6881R, RU6888M, RU6888S, RU6H1L, RU6H2K, RU6H2L, RU6H2R, IRFP250N, RU6H5L, RU6H7R, RU6H9P, RU6H9R, RU6Z5R, RU6Z8R, RU70100R, RU70190R