Справочник MOSFET. RU6H4R

 

RU6H4R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU6H4R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU6H4R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6H4R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  ruichips
 ru6h4r.pdf pdf_icon

RU6H4R

RU6H4RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 600V/4A, RDS (ON) =1800m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplications High efficiency switch mode power supplies LightingGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratin

Другие MOSFET... RU6581R , RU6881R , RU6888M , RU6888S , RU6H1L , RU6H2K , RU6H2L , RU6H2R , AON7408 , RU6H5L , RU6H7R , RU6H9P , RU6H9R , RU6Z5R , RU6Z8R , RU70100R , RU70190R .

History: PHP18N20E | 2N6764JTXV | 2N6766

 

 
Back to Top

 


 
.